VLLT & VLT


Nghiên cứu sự phân rã của hạt top quark

Mục tiêu của đề tài là nghiên cứu sản phẩm và trung bình bình phương biên độ phân rã qua ba kênh phân rã: Kênh phân rã W q(q=b, s, d), kênh phân rã y q(q=u, c), và kênh phân rã Z q(q=u,c).
Tác giả: Đỗ Xuân Thuận, Nguyễn Thị Hà Giang, Trần Minh Quân
Năm: 2015 . Ngôn ngữ: VN . Số trang: 52
Từ khóa: Vật lý, Vật lý hạt, Lý thuyết lượng tử, Hạt top quark,

Nghiên cứu cấu trúc điện tử và một số tính chất từ của hệ FexPd1-x bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ.

Sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ với chương trình tính toán Dmol3 để mô phỏng hệ FexPd1-x, qua đó nghiên cứu cấu trúc điện tử và một số tính chất từ của hệ.
Tác giả: Ngô Thị Thuận, Nguyễn Trung Nghĩa, Lê Đắc Nhân
Năm: 2014 . Ngôn ngữ: VN . Số trang: 49
Từ khóa: Vật lý, Vật lý toán, Hàm mật độ, Cấu trúc điện tử, Hệ FexPd1-x,

Sự thay đổi số phonon trong giếng lượng tử do tương tác electron-phonon bị giam giữ

Đề tài khảo sát tốc độ thay đổi số phonon trong giếng lượng tử với dạng thế chữ nhật bán vô hạn, dạng thế dao động điều hòa và dạng thế tam giác khi có xét đến sự giam giữ phonon
Tác giả: Trần Thanh Thảo, Trần Thị Phương Yên, Phạm Phước Pha
Năm: 2014 . Ngôn ngữ: VN . Số trang: 75
Từ khóa: Vật lý, Vật lý lượng tử, Giếng lượng tử, Phonon,

Khảo sát tính chất phản kết chùm (Antibunching) bậc cao của photon tần số tổng trong hệ tương tác ba photon trong môi trường quang phi tuyến ban đầu ở trạng thái kết hợp, nén kết hợp và trạng thái kết hợp thêm photon

Khảo sát tính chất phản kết chùm (Antibunching) bậc cao của photon tần số tổng trong hệ tương tác ba photon trong môi trường quang phi tuyến ban đầu ở trạng thái kết hợp, nén kết hợp và trạng thái kết hợp thêm photon trong môi trường quang phi tuyến
Tác giả: Nguyễn Thị Kim Oanh, Nguyễn Thị Kim Anh, Võ Thị Ly
Năm: 2014 . Ngôn ngữ: VN . Số trang: 61
Từ khóa: Vật lý, Photon, Quang phi tuyến, ,

Hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn GaN/AlGaN pha tạp đồng nhất

Đề tài nghiên cứu lý thuyết về hàm sóng của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn GaN/AlGaN pha tạp đồng nhất có tính đến ảnh hưởng của tất cả các nguồn giam giữ có thể
Tác giả: Trần Đại Cường, Trần Thị Lan, Phạm Thị Thanh, Tấn Liên
Năm: 2014 . Ngôn ngữ: VN . Số trang: 59
Từ khóa: Vật lý, Hàm sóng, Dị cấu trúc bán dẫn GaN/AlGaN, ,
Danh mục này hiện chưa có dữ liệu hoặc vượt quá số trang [37] mà bạn chọn
Danh mục này hiện chưa có dữ liệu hoặc vượt quá số trang [37] mà bạn chọn
Danh mục này hiện chưa có dữ liệu hoặc vượt quá số trang [37] mà bạn chọn
Danh mục này hiện chưa có dữ liệu hoặc vượt quá số trang [37] mà bạn chọn
(Nguồn từ TT Thông tin - Thư viện, trường ĐH Sư phạm Huế)
Right menu loadding...
0
Giảng viên trình độ cao PGS.TS/TS
0
Phòng thí nghiệm hiện đại
0
Tài liệu nội sinh
0
Bằng khen (Thủ tướng, Bộ GD&ĐT)
0
Học viên cao học
0
Nghiên cứu sinh